RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
24
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3689
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link