RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.7
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
13.7
Скорость записи, Гб/сек
7.6
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1610
2407
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link