RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB против InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
26
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
22
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.6
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1610
3007
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link