RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB против Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
61
62
Около 2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.0
1,670.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
62
Скорость чтения, Гб/сек
3,529.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,670.4
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
517
1808
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link