RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,160.7
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около -48% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
29
Скорость чтения, Гб/сек
5,987.5
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,160.7
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
957
3273
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link