RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Сравнить
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
18.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,160.7
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около -48% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
29
Скорость чтения, Гб/сек
5,987.5
18.5
Скорость записи, Гб/сек
2,160.7
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
957
3784
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link