RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Сравнить
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,475.5
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
56
Около -93% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
8800
Около 1.93 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,878.3
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,475.5
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8800
17000
Other
Описание
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
598
3748
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Сравнения RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link