RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
57
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
29
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
5.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
3098
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link