RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.6
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
20.6
Скорость записи, Гб/сек
8.9
18.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2418
3826
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link