Kingston 9905403-156.A00LF 2GB против Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Средняя оценка

Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Причины выбрать
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

18 30

Около 40% меньшая задержка

Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

Причины выбрать
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.4 17.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.2 13.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

18 30
Скорость чтения, Гб/сек

17.7 18.4
Скорость записи, Гб/сек

13.1 15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2926 3625

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Kingston 9905702-029.A00G 8GB

Kingston 9905702-029.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Kingston 9965600-023.A00G 16GB

Kingston 9965600-023.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

модули RAM

Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB

Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB

Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB

Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A

Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB

Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB

V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB

модули RAM