RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB против Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
29
Около 38% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
13.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
18
29
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
20.0
Скорость записи, Гб/сек
13.1
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2926
3559
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Сравнения RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link