RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
25
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
18
25
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
14.2
Скорость записи, Гб/сек
13.1
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2926
2104
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Сравнения RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link