RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Сравнить
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB против Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
95
Около 74% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.6
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
95
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.6
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2239
1518
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link