RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сравнить
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.3
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1896
3509
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link