RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сравнить
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB против Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Средняя оценка
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.3
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1896
2620
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link