RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сравнить
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
73
Около -78% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.9
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
4.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
41
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
8.9
Скорость записи, Гб/сек
4.7
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1021
2126
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link