RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
38
Около -111% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
18
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
20.4
Скорость записи, Гб/сек
8.3
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2144
3529
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link