RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965472-006.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сравнить
Kingston 9965472-006.A01LF 2GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965472-006.A01LF 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965472-006.A01LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
62
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
7.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965472-006.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
27
Скорость чтения, Гб/сек
7.3
15.0
Скорость записи, Гб/сек
5.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1358
2288
Kingston 9965472-006.A01LF 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 9965472-006.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link