RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Сравнить
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB против Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
70
Около 61% меньшая задержка
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.8
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
70
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.6
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2196
1971
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link