RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
40
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2201
2468
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link