RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
22.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1917
3792
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link