RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB против Kingston 9905624-045.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
93
Около 68% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
93
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
15.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1917
1670
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link