RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB против Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
30
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1917
2120
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link