RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
15.4
Скорость записи, Гб/сек
8.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
2635
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link