RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
15.2
Скорость записи, Гб/сек
8.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
2773
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link