RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
37
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
12.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
37
Скорость чтения, Гб/сек
17.9
16.0
Скорость записи, Гб/сек
14.4
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3271
2808
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link