RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
3113
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link