Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB против Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB

Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 42
    Около 33% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    12.8 left arrow 11.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.0 left arrow 8.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 10600
    Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 42
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.8 left arrow 12.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 9.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1587 left arrow 2011
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения