RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Сравнить
Kingston HP669238-071-HYC 4GB против Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.3
18.2
Скорость записи, Гб/сек
5.5
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1913
3666
Kingston HP669238-071-HYC 4GB Сравнения RAM
Kingston HP698650-154-KEB 4GB
Kingston 9905584-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link