RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KF552C40-16 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Сравнить
Kingston KF552C40-16 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KF552C40-16 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KF552C40-16 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
13.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KF552C40-16 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
18.9
Скорость записи, Гб/сек
13.2
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3343
3866
Kingston KF552C40-16 16GB Сравнения RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link