RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
41
Около 12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
41
Скорость чтения, Гб/сек
14.5
7.8
Скорость записи, Гб/сек
9.7
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
1512
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT25664BC1339.M8FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link