RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
18.1
Скорость записи, Гб/сек
9.8
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2600
3693
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link