RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
54
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.3
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
54
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
15.2
Скорость записи, Гб/сек
10.7
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2726
2938
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Сравнения RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link