Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB

Различия

  • Выше пропускная способность
    14900 left arrow 12800
    Около 1.16% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 60
    Около -107% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.1 left arrow 6.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.5 left arrow 5.4
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    60 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    6.8 left arrow 13.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.4 left arrow 8.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    14900 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1411 left arrow 2292
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения