Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB против SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Причины выбрать
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 44

Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.2 14.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.9 11.6

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 44
Скорость чтения, Гб/сек

18.2 14.9
Скорость записи, Гб/сек

14.9 11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 25600

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3501 2191

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB

Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kingston 9905744-066.A00G 32GB

Kingston 9905744-066.A00G 32GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB

Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB

Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB

Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB

модули RAM

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB

Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB

Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 9905701-003.A00G 16GB

Kingston 9905701-003.A00G 16GB

модули RAM