RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
75
Около -159% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
29
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
3490
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Mushkin 996902 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link