RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
75
Около -168% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
28
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
3437
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link