RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
75
Около -317% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
18
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
19.9
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
3421
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link