RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
75
Около -213% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
24
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
2731
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link