Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB против A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Средняя оценка

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Причины выбрать
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 84

Около 65% меньшая задержка
Выше скорость чтения

8.3 2.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

4.5 2.4

Среднее значение в тестах

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

12800 10600

Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

29 84
Скорость чтения, Гб/сек

8.3 2.3
Скорость записи, Гб/сек

4.5 2.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 12800

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1196 469

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Panram International Corporation M424016 4GB

Panram International Corporation M424016 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB

V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB

Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB

модули RAM