RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
91
Около 35% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6.1
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
4.3
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
91
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
6.1
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
4.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
1214
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2133U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link