RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
17.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
29
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3086
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link