RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
33
Около -3% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
32
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2987
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Team Group Inc. 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link