RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
33
Около -43% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
23
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2631
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link