RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
37
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
37
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2698
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link