RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
39
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
7.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
39
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
7.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
1768
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link