RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
16.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
29
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3076
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link