RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
18.0
Скорость записи, Гб/сек
7.1
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
3211
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link