RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
77
Около 48% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
13.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
77
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
14.7
Скорость записи, Гб/сек
8.3
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
1688
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link