RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
41
Около 2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
41
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
8.9
Скорость записи, Гб/сек
8.3
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
2126
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link